異質接面雙極性電晶體VBIC模型建立及其功率特性模擬; Heterojunction Bipolar Transistor VBIC Model Establish and Power simulation

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/9305

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9305

題名:	異質接面雙極性電晶體VBIC模型建立及其功率特性模擬;Heterojunction Bipolar Transistor VBIC Model Establish and Power simulation
作者:	蔡旻倪;Min-Ni Tsai
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	異質接面雙極性電晶體;功率特性;VBIC model;HBT
日期:	2003-01-09
上傳時間:	2009-09-22 11:45:03 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文主要是針對異質結構雙載子電晶體建立其VBIC model。在大訊號模型建立上，我們利用ICCAP量測系統量測所需要的圖形如：順向gummel-plot、逆向gummel-plot、共射極直流輸出特性曲線…等；在接面電容量測上，將8510當作一個C-V量測系統；在小訊號S-參數模型建立上，同樣利用8510向量網路分析儀來量測S-參數。在量測完所需要的圖形之後，利用ADS模擬軟體將模型參數萃取出來，並建立出完整的VBIC model，利用該模型模擬元件包括直流、交流…等特性，確認模型參數是否正確、元件在線性特性上的表現為何…等。此外，模擬亦包括了自我加熱效應的部分。其次，分別量測元件在不同溫度下的直流工作情形，建立出VBIC model中關於溫度的相關參數，目的是為了使得該元件不論是在何種溫度操作下，都能保持其模型穩定性，不會有誤差產生。最後，利用負載-拉移量測找出元件最大輸出功率點為何，並進而量測出在不同輸入功率下所對應的輸出功率，並得到元件的功率增益及功率附加效率，以得知元件在功率特性的表現為何。接著再利用所建立的VBIC model做關於功率特性方面的模擬，以得知大訊號模型是否能正確模擬元件的非線性特性。在量測與模擬上，皆包含了固定偏壓與不同偏壓的部分。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

文件中的檔案:

檔案	大小	格式	瀏覽次數

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing

資料載入中.....