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    題名: 異質接面雙極性電晶體之大訊號模型建立及其在功率放大器之應用;A Large-Signal Model Establishment and Power Amplifier Application of HBTs
    作者: 蘇碩彬;Shuo-Bing Su
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 異質接面雙極性電晶體;大訊號模型;功率放大器;large signal model;power amplifier;HBT
    日期: 2002-06-17
    上傳時間: 2009-09-22 11:45:37 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在本論文中，利用一回授電流源加在Gummel-Poon本質模型的基射極間模擬異質接面雙極性電晶體的熱效應，且加入元件之寄生效應以建立異質接面雙極性電晶體大訊號等效電路模型，對於直流、交流和非線性特性都能準確的模擬，此模型可以應用於一般實際的微波電路設計。 利用單晶微波積體電路的製程，用InGaP/GaAs HBT設計出一個應用於5.2 GHz WLAN系統的兩級功率放大器，。 利用異質接面雙極性電晶體的基射極接面之二極體配合一並聯電容組合一主動偏壓電路，在不犧牲額外的功率損耗情形下，取代傳統電阻式偏壓方式，設計出一個單級功率放大器，可以改善功率放大器非線性因素—增益壓縮。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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