形成暫時性異質接面在半導體基板正表面以強化其背面電化學反應之研究;Research on Forming Temporary Heterogeneous Interfaces on the Front-Side Surface of Semiconductor Substrates to Enhance Electrochemical Processes on the Back-Side Surface

NCUIR > Engineering College > Departmant of Mechanical Engineering > Research Project > Item 987654321/94317

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/94317

Title:	形成暫時性異質接面在半導體基板正表面以強化其背面電化學反應之研究;Research on Forming Temporary Heterogeneous Interfaces on the Front-Side Surface of Semiconductor Substrates to Enhance Electrochemical Processes on the Back-Side Surface
Authors:	李天錫
Contributors:	國立中央大學機械工程學系
Keywords:	碳化矽;第三類半導體;快速電化學反應;暫時性異質接面;表面陽極氧化;導電塑膠;晶圓鍵合;氟化石墨烯;量子點;元件基板;軟質材料;Silicon Carbide;Type III Semiconductors;Rapid Electrochemical Reaction;Temporary Heterojunction;Surface Anodization;Conductive Polymers;Wafer Bonding;Fluorinated Graphene;Quantum Dots;Device Substrate;Soft Materials
Date:	2024-09-27
Issue Date:	2024-09-30 17:59:24 (UTC+8)
Publisher:	國家科學及技術委員會(本會)
Abstract:	在電化學控制表面狀態的應用研究中，我們研究聚焦於氫氟酸電解液為基礎的半導體電化學反應，特別是碳化矽半導體的陽極氧化。經過該反應能形成獨特板層狀海綿狀弱化材料結構。我們由先前研究成功證實，能透過晶圓鍵合技術在N型矽基板上形成暫時性PN接面，有效轉換電洞流，增強陽極氧化反應。在此研究，我們進一步發展具有柔性材質之P型電極層，即直接塗佈P型導電塑膠或其與P型矽基板預先結合形成之電極層，用之與被蝕刻之N型半導體基板正面形成暫時性PN異質接面，進一步促進背面(接觸電解液)之電化學反應速率。這種新觀念的材料製程旨在縮短薄化製程時間，減少化學污染，並且保護含有元件層之基板在電化學蝕刻過程中薄化。
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Departmant of Mechanical Engineering ] Research Project

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
index.html		0Kb	HTML	52	View/Open

社群 sharing

Loading...