摻雜層對層狀結構半導體光學特性的影響; The Influence of Doped Layer on the Optical Properties of Multilayer Semiconductor

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題名:	摻雜層對層狀結構半導體光學特性的影響;The Influence of Doped Layer on the Optical Properties of Multilayer Semiconductor
作者:	徐子民
貢獻者:	物理學系
關鍵詞:	分子束磊晶法;調制光譜;MBE;Modulation spectroscopy;物理類
日期:	1994-07-01
上傳時間:	2010-05-27 17:30:25 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	我們以分子束磊晶法(MBE)成長單原子攙雜( .delta.-doped)砷化鎵,及調制攙雜砷化鋁鎵/砷化鎵異質結構,並利用調制光譜研究這些結構的光學特性.調制光譜包含光調制和電解液電場調制反射光譜,從單原子攙雜砷化鎵結構,我們將可測量表面費米能階及觀察可能的二度空間能階,從調制攙雜砷化鎵/砷化鋁鎵結構我們將觀察可能由二度空間氣體所引起的Quantum confined Franz-Keldysh oscillations. 研究期間：8208 ~ 8307
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[物理學系] 研究計畫

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