HIGH-PERFORMANCE METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR WITH A THIN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON LAYER ON CRYSTALLINE SILICON

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/29384

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/29384

题名:	HIGH-PERFORMANCE METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR WITH A THIN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON LAYER ON CRYSTALLINE SILICON
作者:	LAIH,LH;TSAY,WC;CHEN,YA;JEN,TS;YUANG,RH;HONG,JW
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SCHOTTKY
日期:	1995
上传时间:	2010-06-29 20:23:20 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A thin intrinsic hydrogenated amorphous silicon (i-a-Si:H) layer was used to improve the performance of Si metal-semiconductor-metal photodetectors (MSM-PDs). At a bias of 10V, this a-Si:H MSM-PD had a rise time of 25ps and an FWHM of 55ps for temporal response, a dark current density of 690fA/mu m(2), a responsivity of 0.7 A/W and a spectral response peaking at 700nm.
關聯:	ELECTRONICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	509	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing