Low operation voltage of nitride-based LEDs with Al-doped ZnO transparent contact layer

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題名:	Low operation voltage of nitride-based LEDs with Al-doped ZnO transparent contact layer
作者:	Kuo,C. H.;Yeh,C. L.;Chen,P. H.;Lai,W. C.;Tun,C. J.;Sheu,J. K.;Chi,G. C.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;P-TYPE GAN;EXTRACTION EFFICIENCY;SAPPHIRE SUBSTRATE;NEAR-ULTRAVIOLET;SURFACE
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-07 14:06:44 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have developed nitride-based multiquantum well light-emitting diodes (LEDs) with E-beam evaporated Al-doped ZnO (AZO) transparent contact layers (TCLs). With 20 mA injection current, it was found that forward voltages were 3.32, 3.33, and 4.91 V, while
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS????
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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