Investigation of Ga oxide films directly grown on n-type GaN by photoelectrochemical oxidation using He-Cd laser

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題名:	Investigation of Ga oxide films directly grown on n-type GaN by photoelectrochemical oxidation using He-Cd laser
作者:	Lee,CT;Chen,HW;Hwang,FT;Lee,HY
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	SPECTROSCOPY;DIELECTRICS;INSULATOR
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-07 14:11:39 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	By using a He-Cd laser in a chemical solution of H3PO4 with a pH value of 3.5, Ga oxide films were directly grown on n-type GaN. From the energy-dispersive spectrometer (EDS) measurement and x-ray diffraction (XRD) measurement, the grown Ga oxide film was
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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