Photoluminescence degradation and passivation mechanisms of Si nanoclusters in silicon oxide matrix

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題名:	Photoluminescence degradation and passivation mechanisms of Si nanoclusters in silicon oxide matrix
作者:	Lee,CT;Lin,CH;Lee,TH;Tsai,TC
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	OPTICAL-PROPERTIES;FILMS;NANOCRYSTALS;NANOSTRUCTURES;TEMPERATURE;OXIDATION;LIGHT;O2
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-07 14:12:08 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The Si nanoclusters embedded in a silicon oxide matrix were prepared using a laser-assisted chemical vapor deposition (LACVD) system. A degradation of photoluminescence (PL) by irradiating the sample with helium-cadmium (He-Cd) laser was observed. The dep
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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