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    題名: Optical properties of ZnO/GaN heterostructure and its near-ultraviolet light-emitting diode
    作者: Yu,QX;Xu,B;Wu,QH;Liao,Y;Wang,GZ;Fang,RC;Lee,HY;Lee,CT
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: MOLECULAR-BEAM EPITAXY;N-TYPE GAN;LUMINESCENCE BAND;OHMIC CONTACTS;ZNO FILMS;OXIDE;EMISSION;DEVICES;PLASMA;MG
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-07 14:15:10 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: We report on photoluminescence in a ZnO/GaN heterostructure, which showed a donor-acceptor pair emission band at 3.270 eV and the longitudinal optical phonon replicas at 12 K. In comparison with p-type GaN, the positions of the peaks are redshifted. This
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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