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    题名: Effect of ozone cleaning and annealing on Ti/Al/Pt/Au ohmic contacts on GaN nanowires
    作者: CHANG Chih-Yang;LAN Tian-Wey;CHI Gou-Chung;CHEN Li-Chyong;CHEN Kuei-Hsien;CHEN Jau-Juin;JANG Soohwan;REN F.;PEARTON S. J.
    贡献者: 物理研究所
    关键词: GALLIUM NITRIDE NANOWIRES;BUILDING-BLOCKS;TRANSPORT-PROPERTIES;CATALYTIC GROWTH;FIELD-EMISSION;NANORODS;DEVICES;TEMPERATURE
    日期: 2006
    上传时间: 2010-07-08 13:25:00 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: We report studies on the effect of UV/ozone cleaning on n-type GaN nanowires prior to Ti/Al/Pt/Au ohmic contact deposition and the effect of annealing temperature on the total resistance of the contacted nanowires. The UV/ozone cleaning for periods of 1-5
    關聯: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
    显示于类别:[物理研究所] 期刊論文

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