Thermal stability of W2B and W2B5 contacts on ZnO

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題名:	Thermal stability of W2B and W2B5 contacts on ZnO
作者:	Ip,K;Khanna,R;Norton,DP;Pearton,SJ;Ren,F;Kravchenko,I;Kao,CJ;Chi,GC
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;SINGLE-CRYSTAL ZNO;R-PLANE SAPPHIRE;N-TYPE ZNO;OHMIC CONTACTS;LOW-RESISTANCE;ELECTRICAL CHARACTERIZATION;SCHOTTKY CONTACTS;SURFACE BARRIERS;DEEP LEVELS
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-08 13:30:33 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Rectifying contact formation on n-type bulk single crystal ZnO using novel W2B or W2B5 metallization schemes was studied using current-voltage, scanning electron microscopy and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. When a single An overlayer was
關聯:	APPLIED SURFACE SCIENCE
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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