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[電機工程研究所] 期刊論文
2004
2.6 A, 0.69 MW cm(-2) single-chip bulk GaN p-i-n rectifier
Irokawa,Y
;
Luo,B
;
Kang,BS
;
Kim,J
;
LaRoche,JR
;
Ren,F
;
Baik,KH
;
Pearton,SJ
;
Pan,CC
;
Chen,GT
;
Chyi,JI
;
Park,SS
;
Park,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
AlGaN/GaN HEMT based liquid sensors
Mehandru,R
;
Luo,B
;
Kang,BS
;
Kim,J
;
Ren,F
;
Pearton,SJ
;
Pan,CC
;
Chen,GT
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
DC characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors on freestanding GaN substrates
Irokawa,Y
;
Luo,B
;
Ren,F
;
Pan,CC
;
Chen,GT
;
Chyi,JI
;
Park,SS
;
Park,YJ
;
Pearton,SJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
GalGaN HEMTs grown by hydride vapor phase epitaxy on AlN/SiC substrates
LaRoche,JR
;
Luo,B
;
Ren,F
;
Baik,KH
;
Stodilka,D
;
Gila,B
;
Abernathy,CR
;
Pearton,SJ
;
Usikov,A
;
Tsvetkov,D
;
Soukhoveev,V
;
Gainer,G
;
Rechnikov,A
;
Dimitriev,V
;
Chen,GT
;
Pan,CC
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
2004
Reduction of surface-induced current collapse in AlGaN/GaN HFETs on freestanding GaN substrates
Irokawa,Y
;
Luo,B
;
Ren,F
;
Gila,BP
;
Abernathy,CR
;
Pearton,SJ
;
Pan,CC
;
Chen,GT
;
Chyi,JI
;
Park,SS
;
Park,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2003
Current-voltage and reverse recovery characteristics of bulk GaN p-i-n rectifiers
Irokawa,Y
;
Luo,B
;
Kim,J
;
LaRoche,JR
;
Ren,F
;
Baik,KH
;
Pearton,SJ
;
Pan,CC
;
Chen,GT
;
Chyi,JI
;
Park,SS
;
Park,YJ
[電機工程研究所] 期刊論文
2001
SiO2/Gd2O3/GaN metal oxide semiconductor field effect transistors
Johnson,JW
;
Gila,BP
;
Luo,B
;
Lee,KP
;
Abernathy,CR
;
Pearton,SJ
;
Chyi,JI
;
Nee,TE
;
Lee,CM
;
Chuo,CC
;
Ren,F
[電機工程研究所] 期刊論文
2001
Vertical and lateral GaN rectifiers on free-standing GaN substrates
Zhang,AP
;
Johnson,JW
;
Luo,B
;
Ren,F
;
Pearton,SJ
;
Park,SS
;
Park,YJ
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
2000
Gd2O3/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Johnson,JW
;
Luo,B
;
Ren,F
;
Gila,BP
;
Krishnamoorthy,W
;
Abernathy,CR
;
Pearton,SJ
;
Chyi,JI
;
Nee,TE
;
Lee,CM
;
Chuo,CC
[機械工程研究所] 期刊論文
2007
The freeze of intrapulse Raman scattering effect of ultrashort solitons in optical fiber
Chen,CF
;
Luo,B
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